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磁控溅射制备ZrN_x薄膜离子导体性能研究

黄佳木 , 覃丽禄 , 董思勤

功能材料

采用射频反应磁控溅射工艺,以纯Zr为靶材,在WO3/ITO/Glass基片上采用不同工艺参数沉积ZrN_x薄膜,用紫外-可见分光光度计、循环伏安法、X射线衍射仪、扫描电镜等研究了ZrN_x薄膜的离子导电性能.研究结果表明,所制备的ZrN_x薄膜为非晶态,ZrN_x/WO_3/ITO/Glass复合膜的光学调节范围最大达57%以上,在离子传导过程中表现出良好的离子导电性能.

关键词: 射频反应磁控溅射 , 氮化锆薄膜 , 离子导体